Ang silicon carbide nakadani og daghang atensyon sa bag-ohay nga mga tuig ug usa ka bag-ong inorganic nga materyal. Unsa ang mga piho nga gimbuhaton sa silicon carbide? Unsa ang mahimo sa silicon carbide sa industriya sa ubos nga bahin? HCMilling (Guilin Hongcheng), ang tiggama sa silicon carbidegalinganmakina, motubag para kanimo sa ubos.

Kadaghanan sa mga materyales sa silicon carbide giproseso ug gi-synthesize nga mga inorganic nga substansiya, nga gihimo pinaagi sa pagtunaw sa quartz sand, petroleum coke (o coal coke), sawdust (o sawdust) ug uban pang hilaw nga materyales sa usa ka resistance furnace sa taas nga temperatura. Adunay usab usa ka natural nga bato nga gitawag og Mo Sangshi, nga talagsaon. Ang espesipikong grabidad sa silicon carbide kay 3.20-3.25, ug ang microhardness kay 2840-3320kg/mm2, nga mahimong bahinon sa itom nga silicon carbide ug berde nga silicon carbide.

Unsa ang mga gamit sa silicon carbide? Ang silicon carbide adunay mga kinaiya sa resistensya sa kaagnasan, resistensya sa taas nga temperatura, taas nga kusog, maayong thermal conductivity ug resistensya sa impact. Ang tradisyonal nga natad sa aplikasyon sa silicon carbide naglakip sa mga functional ceramics, abrasive tools (sama sa grinding wheel, oilstone, grinding head, ug uban pa), advanced refractory materials (sama sa smelting furnace lining, furnace components, crucibles, ug uban pa), metallurgical raw materials ug deoxidizers. Kini nga bahin sa gigamit nga silicon carbide kasagarang gigaling ngadto sa 200-300 mesh pinaagi sa silicon carbidegalingan.

Karon, uban sa paspas nga pag-uswag sa mga bag-ong industriya sama sa 5G, bag-ong enerhiya ug dagkong datos, ang silicon carbide, isip ikatulong henerasyon nga compound semiconductor material, adunay nagkadako nga panginahanglan sa merkado. Dili sama sa una ug ikaduhang henerasyon nga semiconductor materials, ang silicon carbide adunay mas maayo nga pisikal nga mga kabtangan, sama sa taas nga band gap, taas nga conductivity ug taas nga thermal conductivity. Ang taas nga band gap katumbas sa taas nga breakdown electric field ug taas nga power density. Ang porma sa silicon carbide sa semiconductor chips kay substrate material, nga mahimong himoon nga mga power device ug microwave RF device base sa silicon carbide pinaagi sa epitaxial growth ug device manufacturing. Kini nga mga device mahimong kaylap nga magamit sa mga bag-ong natad sama sa 5G infrastructure, new energy vehicle charging piles, big data centers, ultra-high voltage, intercity high-speed rail ug uban pa.

Busa, unsaon man nato pagtuman sa proseso sa paggaling sa pagproseso sa silicon carbide? Dinhi kinahanglan nato ang partisipasyon sa mga tiggama sasilicon carbidegalinganmga makina. Isip usa ka gamhanang tiggama sasilicon carbidegalingan, Ang HCMilling (Guilin Hongcheng) mahimong mag-customize sa espesyal silicon carbidegalingan sumala sa mga kinaiya sa silicon carbide. Ang kapino sa nahuman nga silicon carbide powder mahimong i-adjust gikan sa 200 mesh ngadto sa 2000 mesh. Ang tibuok linya sa produksiyon modagan nga hapsay ug padayon sulod sa 24 oras. Ang distribusyon sa gidak-on sa partikulo sa nahuman nga produkto parehas, nga nagsiguro nga ang epekto sa aplikasyon sa downstream silicon carbide lig-on ug makab-ot ang gitinguha nga epekto. Ang espesyal nga grinding mill machine para sa silicon carbide nga gihimo sa HCMilling (Guilin Hongcheng) naggamit ug espesyal nga mga materyales nga dili dali madaot, nga adunay gamay nga pagkadaot, sayon ​​nga pagmentinar ug ubos nga gasto.

Unsa ang gamit sa silicon carbide? Ang HCMilling (Guilin Hongcheng), ang tiggama sa silicon carbidegalingan, naghimo og detalyadong pasiuna. Kon kinahanglan nimosilicon carbidegalingankagamitan, palihug ayaw pagpanuko sa pagkontak kanamo, ug ang HCM mohatag kanimo sa pinakabag-o nga kinutlo.